快速鏈接
EN
400-880-1456
400-880-1456
根據(jù)摩爾定律，當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。
面對(duì)全球性的“電子制造爭(zhēng)霸賽”，走在摩爾定律之前，實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新才是行業(yè)謀求“生存與發(fā)展”的制勝之道。積極探索創(chuàng)新封裝方案，采取先進(jìn)封裝已然推動(dòng)科技進(jìn)步和市場(chǎng)發(fā)展的關(guān)鍵力量。
（半導(dǎo)體 圖片源于網(wǎng)絡(luò)）
精密檢測(cè)是高性能封裝質(zhì)量提升的關(guān)鍵守護(hù)者
先進(jìn)封裝不僅需要實(shí)現(xiàn)芯片間的高密度集成、高速傳輸和低延時(shí)，還要確保低能耗和可靠性。這些要求使得封裝技術(shù)面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。
然而，在封裝過(guò)程中，由于材料、工藝等多種因素，可能會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部缺陷，如空洞、裂紋、偏移等。這些缺陷難以通過(guò)外觀檢查發(fā)現(xiàn)，但會(huì)嚴(yán)重影響封裝的性能和可靠性，導(dǎo)致產(chǎn)品性能下降甚至失效。因此，如何確保封裝質(zhì)量成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
一、如何穿透材質(zhì)更厚、密度更高的產(chǎn)品？
選擇高電壓射線源，能夠在射線在與物質(zhì)相互作用時(shí)，傳遞更多的能量，輕松穿透更厚的材料或更高密度的物質(zhì)，輕松獲得器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，清晰呈現(xiàn)微小缺陷。
在X射線無(wú)損檢測(cè)中，射線源的電壓是決定其穿透能力的重要因素之一。根據(jù)物理學(xué)原理，電壓越高，電子在電場(chǎng)中獲得的能量就越大。高電壓射線源具有較高的能量輸出，在與物質(zhì)相互作用時(shí)，能夠傳遞更多的能量，從而增加穿透能力，輕松穿透更厚的材料或更高密度的物質(zhì)。
（圓柱電芯極片對(duì)齊度 UNICOMP 130kV檢測(cè)圖像）
二、如何看清高度集成產(chǎn)品中的封裝細(xì)節(jié)？
穿透只是第一步，守護(hù)封裝還需要看清細(xì)節(jié)。射線源在高壓同時(shí)還需要具有微小焦點(diǎn)。例如，UNICOMP 130kV射線源采用微聚焦技術(shù)，能夠產(chǎn)生小于8微米尺寸的焦點(diǎn)光斑，能夠捕捉到更為細(xì)微的結(jié)構(gòu)和缺陷，提高成像的分辨率和清晰度。
（UNICOMP 130kV微焦點(diǎn)射線源）
此時(shí)，再搭配高清FPD，幫助設(shè)備在穿透高密度材料時(shí)，輕松獲取更詳細(xì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息。即使針對(duì)厚密材質(zhì)，依舊能夠高分辨率成像，清晰呈現(xiàn)物體的精細(xì)結(jié)構(gòu)和微小缺陷。
（電子半導(dǎo)體芯片 綁定線缺陷Ai自動(dòng)檢測(cè)）
微焦高壓射線源的應(yīng)用不僅能夠發(fā)現(xiàn)封裝過(guò)程中的內(nèi)部缺陷和問(wèn)題，為后續(xù)的修復(fù)和改進(jìn)提供依據(jù)；還能夠確保焊點(diǎn)質(zhì)量、線束排列和封裝對(duì)齊的準(zhǔn)確性，提高封裝的性能和可靠性，為封裝行業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)和高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐。
在科技飛速發(fā)展的微觀新世界中，X射線無(wú)損檢測(cè)技術(shù)將持續(xù)守護(hù)并推動(dòng)電子革新。隨著X射線技術(shù)的應(yīng)用和進(jìn)步，優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)應(yīng)心掌控！
了解更多日聯(lián)科技X-ray檢測(cè)裝備信息可以撥打全國(guó)服務(wù)熱線：400-880-1456 或訪問(wèn)日聯(lián)科技官網(wǎng)：bigluo.com
